把五层仓位、主攻分布和风险闸门从表格抽出来，先看结构，再进入逐项判断。
目标 12%-15%；低于 10% 先修现金
主动上限 45%，被动硬顶 50%
清仓/退出目标尽快降到 0%-3%
临时上限 10%，超标先减事件仓
-$3,979.03
$22,396.86 · SOXX / AVGO 预算核心
$36,374.18 · DRAM / MU 主表达
$4,210.50 · 超过 2% 只减不加
$1,727.10 · 短线工具，不转长线
这里展示新策略目标下的当前归属；清仓、退出、降权仓位在后面单独拉出。
| 层级 | 目标比例 | 目标金额 | 当前金额 | 当前占比 | 差额 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 第一层 Core 核心层 | 22%-28% | $29,444.48-$37,474.79 | $39,055.80 | 29.2% | 高于目标 $1,581.01 | 偏高，只保留最强质量核心 |
| 第二层 主攻层（B+ 双主攻进攻版） | 36%-42%，主动上限 45%，被动硬顶 50% | $48,181.88-$56,212.19 | $62,981.54 | 47.1% | 高于目标 $6,769.35 | 高于主动上限，只允许被动持有或换仓，不净新增 |
| 第三层 Event Swing 事件波段层 | 5%-8%，临时上限 10% | $6,691.93-$10,707.08 | $15,994.30 | 12.0% | 高于目标 $5,287.22 | 高于临时上限，先减事件仓 |
| 第四层 Optionality 机会层 | 4%-7%，成熟后上限 9% | $5,353.54-$9,368.70 | $37.52 | 0.0% | 低于目标 $5,316.02 | 低于目标，但先清仓再扩 |
| 第五层 Cash / Options 机动现金层 | 12%-15%，硬底线 10% | $16,060.63-$20,075.78 | $1,347.04 | 1.0% | 低于目标 $14,713.59 | 现金跌破硬底线，先修现金 |
| 短线临时仓（独立，不算五层） | 0%-3%，只许短线 | 0-$4,015.16 | $1,727.10 | 1.3% | 在目标区间 | 独立短线仓，不能变成长线 |
| 待清仓/退出区 | 目标：尽快降到 0%-3% | 0-$4,015.16 | $23,708.35 | 17.7% | 高于目标 $19,693.20 | 偏高，必须单独处理 |
这里只保留会改变组合动作的判断；完整逐票成本、股数、现价回到持仓更新中心处理。
| 优先级 | 决策主题 | 当前状态 | 判断 | 下一步 |
|---|---|---|---|---|
| P0 | 现金闸门 | 低于 12%-15% 目标，不新增主攻 | 先处理清仓/退出队列，把现金修回 12%+；低于 10% 时停止新增。 | |
| P0 | 清仓/退出压力 | 偏高，必须单独处理 | 策略页只看队列和优先级；逐票股数、成本、现价去持仓更新中心执行。 | |
| P1 | 第二层主攻空间 | 高于主动上限，只允许被动持有或换仓，不净新增 | 允许 B+ 进攻，但只能按半导体 21%-25%、内存/HBM/存储 15%-18% 的预算来补。 | |
| P1 | 事件仓超标 | 高于临时上限，先减事件仓 | SPCX/TSLA 不能自动变成长线；事件仓降下来后再考虑机会层扩张。 | |
| P2 | AAOI 光模块卫星 | 目标 1%-1.5%，硬上限 2% | 不归入半导体主攻；只做降权保留，不加仓。 |
五层在策略页只做目标、状态和动作判断，不再默认展开所有持仓明细。
| 层级 | 当前金额/占比 | 目标 | 状态 | 本页关注 | 策略动作 |
|---|---|---|---|---|---|
| 第一层 Core 核心层 | 22%-28% | 偏高，只保留最强质量核心 | SPY / GOOGL 是核心地板；TSM / NVDA 是进攻核心。 | 保持底盘，不在策略页逐票调参。 | |
| 第二层 主攻层 | 36%-42%，主动上限 45%，被动硬顶 50% | 高于主动上限，只允许被动持有或换仓，不净新增 | 半导体主攻 + 内存/HBM/存储双主线。 | 只看预算空间、硬顶和主攻方向，不展示全部持仓明细。 | |
| 第三层 Event Swing | 5%-8%，临时上限 10% | 高于临时上限，先减事件仓 | SPCX / TSLA 是事件波段，不自动长线化。 | 超目标时先降事件仓。 | |
| 第四层 Optionality | 4%-7%，成熟后上限 9% | 低于目标，但先清仓再扩 | PLTR / ZS / MOD / IOT / RMBS 是小仓右侧弹性。 | 低于目标也不急扩，先等清仓和现金修复。 | |
| 第五层 Cash / Options | 12%-15%，硬底线 10% | 现金跌破硬底线，先修现金 | 现金和期权预备金是机动层。 | 现金低于 12% 不新增主攻；低于 10% 先修现金。 |
B+ 版的关键是半导体主攻和内存/HBM/存储双主线；AAOI 和 RAM 单独计风险，不混进长期主攻。
| 方向 | 包含标的 | 当前金额/占比 | 目标权重 | 纪律 |
|---|---|---|---|---|
| 半导体主攻 | SOXX / AVGO / MRVL / ONTO / LRCX / INTC | 21%-25% | SOXX/AVGO 是预算核心；MRVL/ONTO/LRCX/INTC 只能做卫星或受限观察。 | |
| 内存/HBM/存储 | DRAM / MU / EWY / WDC | 15%-18%，强行情 20%-22% | DRAM/MU 是主表达；EWY 是 HSK ADR 过渡；WDC 是存储卫星。 | |
| 光模块卫星 | AAOI | 未来 1%-1.5%，硬上限 2% | AAOI 单列，不归入半导体主攻，超过 2% 只减不加。 | |
| 短线存储仓 | RAM | 0%-3% | RAM 只许短线，不计入长期主攻结构，不摊低。 |
这张表只回答先做什么；逐票下单区、成本和现价在持仓更新中心核对。
| 优先级 | 队列 | 涉及标的 | 当前暴露 | 策略动作 | 执行位置 |
|---|---|---|---|---|---|
| P0 | 直接清仓 | CBOE / INFQ / ARBE | $2,777.60 / 2.1% | 释放现金和注意力；不再补仓。 | 逐票股数、成本、现价和下单区间在持仓更新中心执行。 |
| P0 | 分批/反弹退出 | SPCX / NASA | $13,004.60 / 9.7% | 事件仓不自动长线化；反弹或窗口到来就降。 | 逐票股数、成本、现价和下单区间在持仓更新中心执行。 |
| P0 | 回调/破位止损后清仓 | 1810.HK | $7,926.15 / 5.9% | 非主线仓，破位或反抽到位优先减风险。 | 逐票股数、成本、现价和下单区间在持仓更新中心执行。 |
| P1 | 降权保留 | AAOI | $4,210.50 / 3.1% | 保留弹性但降到目标权重，不再吃主攻预算。 | 逐票股数、成本、现价和下单区间在持仓更新中心执行。 |
| P1 | 条件加仓候选 | WDC / MRVL | $7,499.00 / 5.6% | 只有价格回到买区、因子未超标、现金达标才加。 | 逐票股数、成本、现价和下单区间在持仓更新中心执行。 |
| P2 | 择机获利了结 | ONTO | $1,496.20 / 1.1% | 不作为主攻加仓对象，有利润时降卫星。 | 逐票股数、成本、现价和下单区间在持仓更新中心执行。 |
| P2 | 观察不加仓 | ZS / LRCX | $682.40 / 0.5% | 保留观察，不抢主攻和现金预算。 | 逐票股数、成本、现价和下单区间在持仓更新中心执行。 |
这里只保留硬顶和动作摘要；完整触发规则保留在同步生成稿里。
| 风险因子 | 包含标的 | 当前暴露 | 目标 | 状态 / 动作 |
|---|---|---|---|---|
| 广义 AI 基建（B+） | DRAM / MU / WDC / EWY / SOXX / AVGO / NVDA / TSM / GOOGL / MSFT / AMZN / AAOI | 目标 62%-66% | 未触发预警；未触发，按预算执行。 | |
| 第二层半导体主攻 | SOXX / AVGO / MRVL / ONTO / LRCX / INTC | 目标 21%-25% | 未触发预警；未触发，按预算执行。 | |
| 第二层内存/HBM/存储 | DRAM / MU / EWY / WDC | 正常 15%-18%；强行情最多 20%-22% | 超过硬上限，必须降权；超过硬顶，只减不加。 | |
| 纯 HBM/DRAM 主线 | DRAM / MU / EWY | 目标 12%-16%；强行情上限 18% | 超过硬上限，必须降权；超过硬顶，只减不加。 | |
| 存储/HBM（含 RAM 短线仓） | DRAM / MU / WDC / EWY / RAM | 长期 15%-18%；含 RAM 强行情最多 20%-22% | 超过硬上限，必须降权；超过硬顶，只减不加。 | |
| 半导体/存储总敞口（不含 AAOI） | NVDA / TSM / DRAM / SOXX / AVGO / INTC / MU / WDC / EWY / RAM / MRVL / ONTO / LRCX | 目标 55%-58% | 未触发预警；未触发，按预算执行。 | |
| 光模块卫星 | AAOI | 未来 1%-1.5%；硬上限 2% | 超过硬上限，必须降权；超过硬顶，只减不加。 | |
| 杠杆/短线工具 | RAM | 硬上限 3% | 未触发预警；未触发，按预算执行。 |
| 闸门 | 触发线 | 动作 |
|---|---|---|
| 现金闸门 | 现金 <10% | 停止新增主攻；先清仓/退出，把现金修回 12%+ |
| 回撤闸门 | 组合 -12% / -18% | -12% 停止新增；-18% 主攻层减 20%-30% 并复盘。 |
| 第二层硬顶 | 主动 45% / 被动 50% | 45% 以上只换仓不净新增；50% 以上必须降重叠仓。 |
| 内存/HBM/存储 | 18% / 22% | 18% 停止普通新增；22% 是强行情硬顶。 |
| 半导体总敞口 | 25% / 60% | 半导体主攻 25% 停止新增；半导体/存储总敞口 60% 必须降。 |
| 单票纪律 | AAOI >2% / RAM < $25 / HSK ADR | AAOI 只减不加；RAM 跌破硬止损；HSK ADR 成熟后再置换 EWY。 |
这里合并 0 股目标和 BRK.B 防守核心候选；都不是马上买入指令，必须先满足现金、清仓和风险因子条件。
| 标的 | 目标/观察分组 | 现状 | 行业/主题 | 下一步 |
|---|---|---|---|---|
| MOD | 第四层 Optionality 机会层 | 0 股 | 热管理/工业冷却/数据中心散热 | 目标观察位；确认数据中心散热逻辑和估值后小仓试错，不追高。 |
| RMBS | 第四层 Optionality 机会层 | 0 股，暂缓 | 高速内存接口/IP | 暂缓买入；它仍然是存储/内存接口因子，等存储/HBM 敞口降下来再评估。 |
| BRK.B | 目标单位持仓 / 防守核心候选 | 未持仓 | 保险/多元控股/现金复利 | 暂不进入核心层执行表；等现金回到 15% 附近、清仓队列完成，且需要降低 AI/半导体单因子时再评估。 |